4편 - 첨단 반도체 기술: 3나노, EUV, HBM 메모리
첨단 반도체 기술: 3나노, EUV, HBM 메모리3nm 시대의 GAA, 13.5nm EUV 리소그래피, 초고대역폭 HBM. 초미세 공정을 가능하게 한 3대 축을 개념–장점–과제로 정리합니다.1) 3나노 시대와 GAA 트랜지스터3nm 노드는 FinFET의 단채널 한계를 보완하기 위해 GAA(Gate-All-Around) 나노시트 구조를 채택합니다. 채널을 4면에서 감싸 제어력을 높이고, 동일 전력에서 더 높은 성능/밀도를 노립니다. 공정적으로는 시트 스택 제어, 에피 성장, 게이트 유전·금속 조합, 컨택트 저항 억제가 관건입니다. 웨이퍼 레벨에서의 밀도·수율이 3nm 성패 좌우 초미세 공정은 클린룸·리소 공정 안정성이 핵심 2) EUV 리소그래피: 13.5nm 극자외..
2025. 9. 24.